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介电常数及介质损耗测定仪
以下内容为介质损耗、介电常数测试仪的部分资料及标准,详情及配置致电咨询
LJD-B/LJD-C介电常数及介质损耗测定仪双扫描技术 - 测试频率和调谐电容的双扫描、自动调谐搜索功能。双测试要素输入 - 测试频率及调谐电容值皆可通过数字按键输入。双数码化调谐 - 数码化频率调谐,数码化电容调谐。介电常数及介质损耗测定仪自动化测量技术 -对测试件实施 Q 值、谐振点频率和电容的自动测量。全参数液晶显示 – 数字显示主调电容、电感、 Q 值、信号源频率、谐振指针。DDS 数字直接合成的信号源 -确保信源的高葆真,频率的准确、幅度的高稳定。介电常数及介质损耗测定仪计算机自动修正技术和测试回路化 —使测试回路 残余电感减至低,彻底根除 Q 读数值在不同频率时要加以修正的困惑。电感测试时,设备自身残余电感和测试引线电感的自动扣除功能,提高了电感值(特别是小电感值)测量的精度。此功能为北京中航鼎力公司生产的Q表D创。大电容值直接测量显示功能,电容值直接测量值可达2.5uF/25nF(配100uH电感时)。此功能为北京中航鼎力公司生产的Q表D创。
Q 值测量范围: 2 ~ 1023,量程分档:30、100﹑300﹑1000,自动换档或手动换档
固有误差:≤ 5 % ± 满度值的 2 %( 200kHz ~ 10MHz ),≤6% ± 满度值的2%(10MHz~160MHz)
工作误差:≤ 7 % ± 满度值的 2 %( 200kHz ~ 10MHz ),≤8% ± 满度值的2%(10MHz~160MHz)
主电容调节准确度:100pF 以下 ± 1pF;100pF 以上 ± 1 %
频率分段( 虚拟 ):100 ~ 999.999kHz, 1 ~ 9.99999MHz,10 ~ 99.9999MHz,100 ~ 160MHz
1.1 本试验方法包含当所用标准为集成阻抗时,实心电绝缘材料样本的相对电容率,耗散因子,损耗指数,功率因子,相位角和损耗角的测定。列出的频率范围从小于1Hz到几百兆赫兹。
1.2 这些试验方法提供了各种电极,装置和测量技术的通用信息。读者如对某一特定材料相关的议题感兴趣的话,必须查阅ASTM标准或直接适用于被测试材料的其它文件。2,3
1 本规范归属于电学和电子绝缘材料ASTM D09委员会管辖,并由电学试验D09.12附属委员分会直接管理。
当前版本核准于2011年8月1日。2011年8月发行。原版本在1922年批准。前一版本于2004年批准,即为 D150-98R04。DOI:10.1520/D0150-11。
D1531 用液体位移法测定相对电容率(介电常数)与耗散因子的试验方法
E197 室温之上和之下试验用罩壳和服役元件规程(1981年取消)5
3.1.1 这些试验方法所用术语定义以及电绝缘材料相关术语定义见术语标准D1711。
3.2.1 电容,C,名词——当导体之间存在电势差时,导体和电介质系统允许储存电分离电荷的性能。
3.2.1.1 讨论——电容是指电流电量 q与电位差V之间的比值。电容值总是正值。当电量采用库伦为单位,电位采用伏特为单位时,电容单位为法拉,即:
3.2.2 耗散因子(D),(损耗角正切),(tanδ),名词——是指损耗指数(K'')与相对电容率(K')之间的比值,它还等于其损耗角(δ)的正切值或者其相位角(θ)的余切值(见图1和图2)。
4相关ASTM标准,可浏览ASTM网站,或与ASTM客服service@********联系。ASTM标准手册卷次信息,可参见ASTM网站标准文件汇总。
D=tanδ=cotθ=Xp/Rp=G/ωCp=1/ωCpRp (3)
耗散因子的倒数为品质因子Q,有时成为储能因子。对于串联和并联模型,电容器耗散因子D都是相同的,按如下表示为:
Rp/Rs=(1+D2)/D2=1+(1/D2)=1+Q2 (6)
3.2.2.2 讨论——b:串联模型——对于某种具有电介质损耗(图3)的绝缘材料,其并联模型通常是适当的模型,其总是能和偶尔要求模拟在单频率下电容Cs与电阻Rs串联(图4和图2)的某个电容器。
3.2.3 损耗角(缺相角),(δ),名词——该角度的正切值为耗散因子或反正切值K''/K'或者其余切值为相位角。
3.2.3.1 讨论——相位角和损耗角的关系见图1和图2所示。损耗角有时成为缺相角。
3.2.4 损耗指数,K''(ε''),名词——相对复数电容率虚数部分的大小;其等于相对电容率和耗散因子的乘积。
K''=K' D=功率损耗/(E2×f×体积×常数) (7)
当功率损耗采用瓦特为单位,施加电压采用伏特/厘米为单位,频率采用赫兹为单位,体积(是指施加了电压的体积)采用立方厘米为单位,此时的常数值为5.556×10-13。
3.2.4.2 讨论——b——损耗指数是国际上协定使用的术语。在美国,K''以前成为损耗因子。
3.2.5 相位角,θ,名词——该角度的余切值为耗散因子,反余切值K''/K',同时也是施加到某一电介质的正弦交流电压与其形成的具有相同频率的电流分量之间的相位角度差值。
3.2.5.1 讨论——相位角和损耗角之间的关系见图1和图2所示。损耗角有时也
3.2.6 功率因子,PF,名词——某一材料消耗的功率W(单位为瓦特)与有效正弦电压V和电流I之间乘积(单位为伏特-安)的比值。
3.2.6.1 讨论——功率因子可以采用相位角θ的余弦值(或损耗角的正弦值δ)来表示:
当耗散因子小于0.1时,功率因子与耗散因子之间的差值小于0.5%。可从下式找到它们的准确关系:
3.2.7.1讨论——a——在普遍的用法,“相对”一词经常是指下降值。
3.2.7.2 讨论——b——从经验来看,真空在各处必须采用材料来替代,因为其能显著改变电容。电介质等效电路假设包含一个电容Cp,该电容与电导并联。
3.2.7.3 讨论——c——Cx视为图3所示的等效并联电容Cp。
4.2 本方法提供了(1)电极,装置和测量方法选择指南;和(2)如何避免或修正电容误差的指导。
电极类型 | 真空内电极之间静电容,pF | 在某一边缘的杂散电场修正值,pF |
带防护环的圆盘形电极: 不带防护环的圆盘形电极: 电极直径=样本直径: | 其中 | |
小于样本的等效电极: | 其中:=样本允许发生钝态的近似值,同时a< | |
不等效电极: | 其中:=样本允许发生钝态的近似值,同时a< | |
带保护环的圆柱形电极: | ||
不带保护环的圆柱形电极: | 其中:=样本允许发生钝态的近似值。 |
电容率 | 耗散因子 | 符号标识 |
空气中的测微计电极(带保护环): 或者,如果to调节到一个新值to',则 | △C=当嵌入样本(+当电容增大时)时的电容变化, C1=样本固定时的电容, △D=当嵌入样本时的耗散因子值, Dc=样本固定时的耗散因子, Df=液体耗散因子, to=平行板间距,mm, t=样本平均厚度,mm, M=to/t-1, Cf=只有液体的Kf'Cv电容, δo=真空电容率(0.0088542pF/mm), A=电极面积,mm2(如果两个电极不等效,则该值较小), Kf'=在试验温度时的液体电容率(对于23℃,50%RH的空气,该值=1.00066), Cv=被考虑区域的真空电容(εoA/to,pF), do=内侧电极外径, d1=样本内径, d2=样本外径, d3=外侧电极内径, g=保护间隙,mm d1,2或3=直径,mm(见草图) Cv=真空电容 B=1-2δ(见附录X2.1.3) (注释:ALSO排出了B之后的//*//(两处)和附录X2的引用脚注)。 Ce=边缘电容 ln=自然对数 Kx'=样本电容率(表1计算得出的近似值) p=(低电压)电极测量周长,mm I=(低电压)电极测量长度,mm 注:在这些公式中,C和D为电池性能值,电池具有电位以能从测量回路(当使用平行置换时)的读数中进行要求的计算。参考注3。 注:在两种液体方法的公式中,下表1和2分别是指种和第二种液体。 注:两种液体公式的C值为等效的系列值。 A2=样本浸入液体中时受保护电极的有效面积=(d+Bg)2π/4(保护间隙修正见附录X2)。 | |
平面电极—液体置换: | ||
当样本的耗散因子小于大约0.1时,可使用以下公式: | ||
圆柱形电极(带保护环)——液体置换 | ||
两种液体方法——平面电极(带保护环) |
7电极系统补充信息可在研究报告RR:D09-1037中找到,该研究报告可从ASTM总部获得。
7.2.8 水——当在低频率(大约达到1000Hz)进行测量时,下水可作为绝缘电线和电缆测量用的一个电极。操作必须小心,以确保在样本末端的电泄漏可以忽略不计。
8 美国政府卫生学者会议,Building D-7, 6500 Glenway Ave., Cincinnati, OH 45211.
Micrometer Screw:测微计螺钉;Bellows:风箱;Grounded Electrode:接地电极;
Specimen:样本;Vernier Capacitor:微型电容器;High Electrode:高电极;
注3:为获得电容和耗散因子而执行的测量细节说明以及由于测量电路而执行的任何必要的修正细节说明见商用设备提供的说明书所述。以下章节拟用于提供所需的补充说明。
注4:当采用两种流体方法时,可由任一组读数获得耗散因子(其中采用具有较高Kf'的那组数据可获得精确的耗散因子)。
11.1.1 描述被测试的材料,也就是指名称,等级,颜色,制造商和其它相关数据,
11.1.7 并联电容值,耗散因子值或功率因子值,电容率值,损耗指数值以及评估的精度值。
12.2 偏差——任一种或所有这些试验方法未能制定偏差相关的说明。
并联电容 | 符号定义 |
Cp=C'-Cr+Cvr | C'=在电极重置间距处的测微计电极的校准电容, Cv=由表2计算得出的,在测微计电极之间被样本占据区域的真空电容, Cr=在间距r处的测微计电极的校准电容, r=样本和附着电极的厚度。 |
样本真实厚度和面积必须用于计算电容率。当样本具有与电极相同的直径,通过使用以下程序和公式,可以避免边缘真空电容的双重计算,计算只具有小误差(由于在电极边缘的边缘现象导致的误差,值为0.2~0.5%)。 | |
Cp=C'-Cv+Cvt | Cv=在间距t处的测微计电极的校准电容, Cvt=在样本区域的真空电容, t=样本厚度。 |
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